[发明专利]具有异构NVM类型的SSD有效
| 申请号： | 201810158439.5 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108572796B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 霍囝囝;维卡斯·K·辛哈;古内斯瓦拉·R·马里普迪;英迪拉·约什;哈里·R·罗杰斯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有异构NVM类型的SSD。本发明还涉及一种存储设备。该设备包括低延迟持久性存储器和高延迟非易失性存储器两者。持久性存储器可以用于写高速缓存或用于日记记录。可以使用B树来维护临时存储在持久性存储器中的写入请求的索引。在写入请求存储在持久性存储器中时，可以在非易失性存储器中执行垃圾收集。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 nvm 类型 ssd | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：第一控制器；第一存储器块体，包括多个慢速非易失性存储单元；第二存储器块体，包括多个快速持久性存储单元；以及存储接口，所述第一控制器被配置为响应通过所述存储接口接收到的输入输出请求；所述多个慢速非易失性存储单元中的每一个：读取延迟是所述快速持久性存储单元中的任一个的至少十倍；以及写入延迟是所述快速持久性存储单元中的任一个的至少十倍，所述存储设备中包括的所述慢速非易失性存储单元的数量是所述快速持久性存储单元的数量的至少十倍。
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