[发明专利]一种电场可控的二维材料肖特基二极管有效
申请号: | 201810159396.2 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108493255B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 汤乃云;王倩倩;单亚兵;杜琛;徐浩然 | 申请(专利权)人: | 上海电力学院 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/24 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种电场可控的二维材料肖特基二极管,包括衬底层,衬底层自下而上依次设置金属层、高介电常数材料层和单层二维半导体材料层,单层二维半导体材料层的两端分别设置金属电极A和金属电极B,单层二维半导体材料层的上部部分区域设置多层二维半导体材料层,多层二维半导体材料层与金属电极B接触。与现有技术相比,本发明肖特基二极管节省单元器件的占有空间,有利于器件高密度发展;利用外加电场诱导铁电材料极化电场激发大量载流子从而促使二维材料相变,诱导相变方法简单、可控、成本低;施加外加电场时,单层二维材料发生半导体到金属相变,实现金属电极与单层二维半导体材料的接触转变为欧姆接触,降低肖特基二极管寄生电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 电场 可控 二维 材料 肖特基 二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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