[发明专利]半导体装置和其制造方法有效
| 申请号： | 201810159644.3 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108511354B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱盈达;黄上坤;邱咏达;宋振铭 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司;薛富盛 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件，改变所述第一金属接点的晶格，以及在预定压力和预定温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属接点 半导体装置 电子组件 预定压力 接合 晶格 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：提供包含第一金属接点的第一电子组件和包含第二金属接点的第二电子组件；在所述第一金属接点上照射电磁辐射以改变所述第一金属接点的晶格；以及在压力和温度下将所述第一金属接点接合到所述第二金属接点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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