[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201810159802.5 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108520897A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 荒内琢士;金原启道;辻村理俊;山下侑佑;浦上泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通过沿着厚度方向绘制浮区中p型掺杂剂的浓度所得到的图中，在高浓度区和低浓度区之间的边界上出现弯曲点或拐点。在低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 低浓度区 高浓度区 金属氧化物半导体场效应晶体管 漂移区 碳化硅 弯曲点 邻接 衬底 底面 拐点 绘制 | ||
【主权项】：
1.金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于包含：包含沟槽的碳化硅衬底；和设置在所述沟槽中的栅电极，所述碳化硅衬底包含：n型源区；n型漂移区；p型体区，所述p型体区设置在所述n型源区和所述n型漂移区之间；p型浮区，所述p型浮区设置在所述漂移区内，所述p型浮区与所述沟槽的底面邻接；和p型连接区，所述p型连接区从所述p型体区延伸到所述p型浮区，其中所述p型浮区包含沿着所述碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区，所述高浓度区设置在所述沟槽的所述底面和所述低浓度区之间，所述高浓度区与所述低浓度区接触，当通过沿着所述厚度方向绘制所述p型浮区中p型掺杂剂的浓度而获得图时，所述p型掺杂剂的最大浓度在所述高浓度区中高于在所述低浓度区中，并且所述图在所述高浓度区和所述低浓度区之间的边界处具有弯曲点或拐点，且所述低浓度区中p型掺杂剂的含量等于或高于所述n型漂移区的在厚度方向上与所述低浓度区邻接的部分中的n型掺杂剂的含量。
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