[发明专利]在电介质层中形成导电路径图案的方法有效
| 申请号： | 201810159983.1 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108511387B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | F·拉扎利诺 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 依据本发明的一个方面，提供一种在电介质层中形成导电路径图案的方法，该方法包括：在电介质层上方形成掩模层，在掩模层上方形成心轴组，每个心轴具有一对侧壁间隔物，对掩模层进行蚀刻，其中所述心轴组和侧壁间隔物作为蚀刻掩模，以在掩模层中形成第一组沟槽，用金属氧化物平坦化层覆盖所述心轴组，所述金属氧化物平坦化层填充第一组沟槽，回蚀金属氧化物平坦化层，以使所述心轴组的上表面暴露，通过蚀刻除去所述心轴组，从而在金属氧化物平坦化层中形成沟槽，所述沟槽在所述侧壁间隔物对之间延伸，和对掩模层进行蚀刻，其中金属氧化物平坦化层作为蚀刻掩模，以在掩模层中形成第二组沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 导电 路径 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在电介质层中形成导电路径图案的方法，所述方法包括：在电介质层上方形成掩模层，在掩模层上方形成心轴组，每个心轴具有一对侧壁间隔物，对掩模层进行蚀刻，其中所述心轴组和侧壁间隔物作为蚀刻掩模，以在掩模层中形成第一组沟槽，用金属氧化物平坦化层覆盖所述心轴组，所述金属氧化物平坦化层填充第一组沟槽，回蚀金属氧化物平坦化层，以使所述心轴组的上表面暴露，通过蚀刻除去所述心轴组，从而在金属氧化物平坦化层中形成沟槽，所述沟槽在所述侧壁间隔物对之间延伸，和对掩模层进行蚀刻，其中金属氧化物平坦化层作为蚀刻掩模，以在掩模层中形成第二组沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
