[发明专利]沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810160754.1 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109887999A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡依芸 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法，沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底、外延层、第一导体层、第一绝缘层、第二导体层以及第二绝缘层。外延层配置于衬底上且具有至少一沟槽。第一导体层配置于沟槽的下部。第一绝缘层配置于第一导体层与外延层之间。第二导体层配置于沟槽的上部。第二绝缘层配置于第二导体层与第一导体层之间且具有顶面及底面，顶面的宽度大于所述底面的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导体层 金氧半场效晶体管 第二导体层 沟槽式栅极 外延层 绝缘层 绝缘层配置 衬底 配置 底面 顶面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，配置于所述衬底上且具有至少一沟槽；第一导体层，配置于所述沟槽的下部；第一绝缘层，配置于所述第一导体层与所述外延层之间；第二导体层，配置于所述沟槽的上部；以及第二绝缘层，配置于所述第二导体层与所述第一导体层之间，且具有顶面及底面，其中所述顶面的宽度大于所述底面的宽度。
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