[发明专利]结型场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种结型场效应晶体管，包括：N型深阱，在N型深阱表面区域中形成有漂移区场氧，在漂移区场氧底部的N型深阱表面形成有P型顶层；P型顶层具有第一顶层和第二顶层，第一顶层作为JFET的栅极区，被JFET的栅极区覆盖的N型深阱作为JFET的沟道区；第一顶层沿JFET的沟道区的宽度方向上还延伸到N型深阱外侧的半导体衬底中并在延伸部分顶部形成有接触孔并连接JFET的栅极。本发明能增加器件的夹断电压，减少JFET的栅极漏电流；能和LDMOS相集成，工艺成本低。

主权项

1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括：形成于P型掺杂的半导体衬底上的N型深阱；在所述N型深阱表面区域中形成有漂移区场氧，在所述漂移区场氧底部的所述N型深阱表面形成有P型顶层结构，所述P型顶层结构包括第一顶层和第二顶层；所述第一顶层的第二侧和所述第二顶层的第一侧之间直接接触连接；所述第一顶层作为JFET的栅极区，被所述JFET的栅极区覆盖的所述N型深阱作为所述JFET的沟道区；所述第一顶层沿所述JFET的沟道区的宽度方向上还延伸到所述N型深阱外侧的所述半导体衬底中，在所述第一顶层的延伸部分顶部形成有接触孔并通过该接触孔连接到由正面金属层组成的所述JFET的栅极；所述JFET的漏区由位于所述JFET的栅极区的第二侧外的所述N型深阱的表面且和所述漂移区场氧的第二侧自对准的N型重掺杂区组成；所述JFET的源区由位于所述JFET的栅极区的第一侧外的所述N型深阱的表面且和所述漂移区场氧的第一侧相隔有间距的N型重掺杂区组成；所述JFET的沟道区由位于所述JFET的栅极区和所述半导体衬底之间的所述N型深阱组成；所述JFET的源区通过接触孔连接到由正面金属层组成的所述JFET的源极；所述JFET的漏区通过接触孔连接到由正面金属层组成的漏极；所述JFET的衬底引出区通过接触孔连接到由正面金属层组成的衬底电极，所述衬底电极和所述JFET的栅极相连接；通过将所述第一顶层作为所述JFET的栅极区增加所述JFET的沟道区的纵向宽度从而增加所述JFET的夹断电压；通过减少所述JFET区域的所述第一顶层的面积减少所述JFET的栅极区和沟道区的横向PN结面积从而减少所述JFET的栅极漏电流。