[发明专利]半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包含晶体半导体材料的第一半导体图案；第二薄膜晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包含氧化物半导体材料的第二半导体图案；以及多个绝缘层，设置在所述基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管叠置，其中，在平面图中，所述至少一个虚设孔与所述第二半导体图案之间的最短距离等于或小于5微米。