[发明专利]一种缺陷检测用标准片有效
| 申请号： | 201810161947.9 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197797B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 任书铭 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缺陷检测用标准片，该缺陷检测用标准片，包括：基底；设置于基底上的薄膜层，薄膜层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和缺陷比对单元，标准比对单元和缺陷比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域。本发明提供的技术方案，只在基底上设置单层薄膜层，工艺结构层简单，制作方便，每个比对单元中包括至少两个不同检测类型的检测区域，可以验证设备的多种类型缺陷的检出性能，解决了现有技术中缺陷检测用标准片结构复杂且只能验证单一缺陷检出性能的问题，实现了可以通过简单结构的缺陷检测用标准片对设备多种缺陷的检出性能进行全面验证的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 检测 标准 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷检测用标准片，其特征在于，包括：基底；设置于所述基底上的薄膜层，所述薄膜层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和缺陷比对单元，所述标准比对单元和所述缺陷比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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