[发明专利]用于半导体器件制造的系统和方法在审
| 申请号： | 201810161978.4 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807219A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 许耀文;连建洲;杨能杰;陈冠霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了用于半导体器件制造的系统和方法。用于去除含碳硅材料(例如等离子体残留物)或含氮硅材料(例如等离子体残留物)的半水性湿法清洁系统和方法包括羟基封端的有机化合物、二醇和氟离子供体材料。该系统被配置为在干法蚀刻后的湿法清洁期间保护氧化硅和非晶硅。该湿法清洁系统被配置为选择性地去除含碳或含氮的等离子体残留物。该湿法清洁系统的pH值可以被修改以调整用于去除含碳或含氮等离子体残留物的选择性。结果，可以实现小于约3纳米的正TEOS凹陷。此外，该湿法清洁系统可以被改变用于回收和后续的再利用。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法清洁 等离子体 去除 半导体器件制造 含氮等离子体 有机化合物 干法蚀刻 供体材料 清洁系统 水性湿法 非晶硅 氟离子 含碳硅 氧化硅 再利用 凹陷 氮硅 羟基 配置 回收 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件制造的系统，该系统包括：至少部分含水的系统，其被配置用于去除含碳硅残留物或含氮硅残留物中的至少一种，所述至少部分含水的系统包括：羟基封端的有机材料；和氟离子供体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
