[发明专利]含阵列内哑元的MRAM阵列有效
| 申请号： | 201810162281.9 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197836B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L23/50 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其中，所述MRAM阵列分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。本发明较之于现有技术，有效解决了现有技术中SL另外走线导致的影响蚀刻质量的问题，通过将一位线作为公共的源线，并且对应的通过将磁性隧道结制作成哑元的结构，通过哑元连接有源区，进而连接到衬底，巧妙的改造了磁性隧道结，在不影响蚀刻质量的基础上降低了成本，本发明布局合理。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 内哑元 mram | ||
【主权项】：
1.一种含阵列内哑元的MRAM阵列，包括：源线与位线垂直布局，其特征在于，所述MRAM分为多个子阵列，每一所述子阵列有一条公共源线和所有的源线连接，并和位线平行，所述公共源线占据一列的空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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