[发明专利]一种硬脆材料的激光加工方法有效
| 申请号： | 201810162883.4 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108406129B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋仕彬 | 申请（专利权）人： | 苏州图森激光有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/38;B23K26/0622 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硬脆材料的激光加工方法，包括以下步骤：(1)提供一脉冲宽度可调谐的激光光源，调整激光焦点使之聚焦在待加工材料的第一表面；(2)调整激光脉冲宽度在0.02～2ns之间，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工表层材料，在第一表面划开切割道，切割道的深度D1≤0.2mm；(3)调节脉冲宽度在4～10ns之间，获得长脉冲激光，采用长脉冲激光沿切割道继续加工，直至加工到距离第二表面的厚度D3≤0.2mm；(4)调节激光脉冲宽度，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工剩余厚度D3，完成激光加工。本发明加工形成的崩边少，加工时间短，优化了整体加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 短脉冲激光 激光加工 加工 切割道 长脉冲激光 第一表面 激光脉冲 硬脆材料 脉冲 整体加工效率 待加工材料 表层材料 第二表面 激光光源 激光焦点 可调谐 崩边 聚焦 优化 | ||
【主权项】：
1.一种硬脆材料的激光加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1) 提供一脉冲宽度可调谐的激光光源，调整激光焦点使之聚焦在待加工材料的第一表面；/n(2) 调整激光脉冲宽度在0.02～2ns之间，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工表层材料，在第一表面划开切割道，切割道的深度D1≤0.2mm；/n(3) 调节脉冲宽度在4～10ns之间，获得长脉冲激光，采用长脉冲激光沿切割道继续加工，直至加工到距离第二表面的厚度D3≤0.2mm；/n(4) 调节激光脉冲宽度，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工剩余厚度D3，完成激光加工。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
