[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810163425.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109524451B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 下村纱矢;西口俊史;加藤浩朗;小林研也;河野孝弘;大野哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供栅极区域中的接触电阻低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一导电型的漏极层、第一导电型的漂移层、第二导电型的基底区域、第一导电型的源极区域、场板电极、栅极区域和第三绝缘膜。漂移层被形成在漏极层的上表面。基底区域被形成在漂移层的上表面。场板电极在从源极区域的上表面贯通基底区域而到达漂移层的沟槽内沿着沟槽隔着第一绝缘膜而形成。栅极区域在沟槽内隔着第二绝缘膜形成，并且，形成为在沿着沟槽的方向上在上表面具有凹部的U形，在U形的双方的端部各自的上表面上，凹部侧即内侧的端部的位置比第二绝缘膜侧即外侧的端部的位置更高。第三绝缘膜在源极区域及栅极区域的上表面及凹部内形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第一导电型的漏极层；第一导电型的漂移层，被形成在所述漏极层的上表面；第二导电型的基底区域，被形成在所述漂移层的上表面；第一导电型的源极区域，被形成在所述基底区域的上表面；场板电极，在从所述源极区域的上表面贯通所述基底区域并到达所述漂移层的沟槽内，沿着所述沟槽隔着第一绝缘膜形成；栅极区域，在所述沟槽内隔着第二绝缘膜形成，并且，形成为在沿着所述沟槽的方向上在上表面具有凹部的U形，在U形的双方的端部各自的上表面，所述凹部侧即内侧的端部的位置比所述第二绝缘膜侧即外侧的端部的位置更高；以及第三绝缘膜，被形成在所述源极区域及所述栅极区域的上表面及所述凹部内。
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