[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201810166025.7 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108538993A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓;北村宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有：晶片准备工序，准备如下晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，对在整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面与各LED电路对应地形成多个凹坑；透明基板粘贴工序，将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上，将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 透明基板 发光二极管芯片 晶片 层叠体 粘贴 背面 分割预定线 半导体层 互相交叉 加工工序 晶片分割 一体化 发光层 贯通孔 凹坑 制造 分割 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，对在整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1透明基板或在整个面的区域内形成有多个贯通孔的第2透明基板的至少任意一方的正面或背面，与各LED电路对应地形成多个凹坑；透明基板粘贴工序，在实施了该透明基板加工工序之后，将该第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上，并且将该第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上，从而形成一体化晶片；以及分割工序，在实施了该透明基板粘贴工序之后，沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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