[发明专利]一种锗单晶退火过程电阻控制的方法在审
| 申请号： | 201810166049.2 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108277528A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙建坤;罗玉萍 | 申请（专利权）人： | 昆明凯航光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 650500 云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时，升高炉温并增加拉速使单晶尾部迅速熔断，并对单晶实施阶梯度退火。用本方法制备的锗单晶电阻范围可宽可窄，满足红外级锗单晶电阻5‑40Ω的要求，也能制备极端电阻需求的锗单晶，比如0.2‑0.5Ω、1‑5Ω，10‑20Ω等。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶 单晶 电阻 锗锭 碲粉 电阻控制 退火过程 炉温 制备 熔断 退火 装料 制备过程 阶梯度 称取 等径 放肩 拉速 熔料 缩颈 引晶 升高 | ||
【主权项】：
1.一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，其特征在于，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时，升高炉温并增加拉速使单晶尾部迅速熔断，并对单晶实施阶梯度退火。
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