[发明专利]一种光探测与电致发光双功能集成器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810166532.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198814B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王浩;周海;宋泽浩 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L31/08;H01L31/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种光探测与电致发光双功能集成器件，包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极，其中，所述n型半导体层由ZnO微米球形成，所述i型中间层由CsPbBr |
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| 搜索关键词： | 一种 探测 电致发光 功能 集成 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光探测与电致发光双功能集成器件，包括底电极、设置在所述底电极上表面的n型半导体层、设置在所述n型半导体层上表面的i型中间层、设置在所述i型中间层上表面的p型半导体层和设置在所述p型半导体层上表面的顶电极，其中，所述n型半导体层由ZnO微米球形成，所述i型中间层由CsPbBr3形成，所述p型半导体层为Mg掺杂的GaN基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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