[发明专利]包含元素硅的膜的化学机械平面化有效
| 申请号： | 201810166584.8 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108504288B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | J·M·亨利;周鸿君;K·P·沐蕾拉;D·C·坦伯利;J·罗斯 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了包含磨料颗粒和用于提高包含元素硅(例如多晶硅和硅‑锗)的膜的去除速率的添加剂的化学机械平面化(CMP)抛光组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 元素 化学 机械 平面化 | ||
【主权项】：
1.一种抛光组合物，其包含：0.01重量％至15重量％范围内的磨料颗粒；0.001重量％至0.5重量％范围内的增强包含元素硅的膜的去除速率的化合物；和液体载体；且所述抛光组合物的pH在2和12之间；其中，所述磨料颗粒选自热解二氧化硅、胶体二氧化硅、气相氧化铝、胶体氧化铝、氧化铈、二氧化铈‑二氧化硅复合颗粒、二氧化钛、氧化锆、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、云母、水合硅酸铝及其混合物；和所述增强包含元素硅的膜的去除速率的化合物选自(i)包含作为杂原子的硫或氮或者硫和氮两者以及连接至环结构的羰基的杂环碳化合物；(ii)包含作为杂原子的硫或氮或者硫和氮两者的杂环碳化合物；(iii)醛或酮化合物；及其组合。
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