[发明专利]一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法，属于光电探测器及半导体晶体管技术领域。本发明提供的所述的晶体管按层次从下到上依次为：背栅极电极层、衬底层、光敏层和叉指电极层；衬底层使用p‑Si/SiO2,在p‑Si/SiO2衬底的SiO2层上制备生长氧化镓薄膜作为光敏层；在氧化镓薄膜上溅射Au/Ti电极得到叉指电极；再在p‑Si/SiO2背面的Si层上溅射上金属Au薄膜作为背栅极电极。本发明制备过程简单，易于跟硅基器件集成；本发明的制备方法工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好且易于集成。所制备的器件结构可在栅压的调控作用下获得高的日盲紫外光电流增益。

主权项

1.一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下步骤，第一步，衬底预处理；取p‑Si/SiO2为衬底，将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声15分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的氩气吹干，待用；第二步，在衬底的SiO2层上生长β‑Ga2O3薄膜，作为光敏层；第三步，在氧化镓薄膜上制备Ti电极层和Au电极层；第四步，在p‑Si/SiO2衬底背面的Si层上制备金属Au薄膜作为背栅极电极层；将第三步中制备的样品的背面Si层上用镂空的掩膜板遮挡，采用磁控溅射、物理气相沉积、热蒸发或电子束蒸发方法在Si层上制备金属Au薄膜，作为背栅极电极层。