[发明专利]使用电压隔离通路进行拥挤感知缓冲的方法和装置在审
| 申请号： | 201810166677.0 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108281411A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | S·兰甘纳坦;P·吉普塔;R·达斯哥达;R·威尔马;P·奈德赛米 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/02;H01L29/06;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了使用电压隔离通路进行拥挤感知缓冲的方法和装置。本文提供了一种半导体装置，用于通过限制缓冲器在与第二功率域相关联的图案化区域中的放置来缓冲穿过与第一功率域(452)相关联的一个或多个区域被布线的网络(412)，第一功率域不同于与这些缓冲器以及被缓冲的网络相关联的第二功率域。这就使得不仅要基于从A点行进到B点的最短距离，还要考虑半导体装置上的布线拥挤来确定被缓冲的网络的布线。因此，如果半导体装置上的一区域是拥挤的，则被缓冲的网络可绕过该拥挤来布线。如此，尽管特定信号所采用的通过集成电路的路径不是直达布线，但是这仍然可具有支持该特定信号需要被传送的速度的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 布线 功率域 拥挤 半导体装置 缓冲器 方法和装置 隔离通路 使用电压 关联 感知 网络 图案化区域 最短距离 绕过 集成电路 传送 行进 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：位于半导体材料表面上的半导体器件布置，其中所述半导体器件布置中的每个半导体器件与第一功率域相关联；以网状图案在所述半导体材料表面上定义的多个电压通路，所述网状图案将所述半导体器件布置划分成多个群，其中每个电压通路包括所述表面上被保留用于放置与第二功率域相关联的电路的区域，所述第二功率域不同于所述第一功率域；以及被配置成将所述第二功率域的第一缓冲器电连接到所述第二功率域的第二缓冲器的沉积导电材料网络，所述第一缓冲器位于所述电压通路中的第一电压通路中，而所述第二缓冲器位于所述电压通路中的第二电压通路中。
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