[发明专利]一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201810166990.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511564A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩;宋泽浩;周海;马国坤 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法，它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构，其制备方法为选取蓝宝石GaN基片并清洗，制备In底电极，反溶剂辅助生成全无机钙钛矿CsPbBr3多晶薄膜，制备碳顶电极，完成后，即为制作成的一个完整LED器件。在无外加偏压时，是实现波长范围在350nm～550nm的光探测；在正向偏压下，能够发射出峰值位于525nm的绿光。本发明工艺简单，成本低，双功能效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 无机钙钛矿 蓝宝石 光响应 异质结 氮化镓基片 多晶薄膜 正向偏压 底电极 顶电极 反溶剂 光探测 双功能 碳电极 铟电极 波长 绿光 薄膜 清洗 发射 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED，它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构，其特征在于全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜层设置在氮化镓层上，同时并列设置铟电极，全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜层上设置碳电极。
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