[发明专利]包括邻近晶体管的集成结构

摘要

本公开涉及包括邻近晶体管的集成结构。该集成结构包括具有覆在第一栅极电介质之上的第一可控栅极区域的第一MOS晶体管以及邻近第一MOS晶体管并且具有覆在第一栅极电介质之上的第二可控栅极区域的第二MOS晶体管。公共传导区域覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与其分离。公共传导区域包括定位在第一栅极区域和第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从连续元件朝向衬底向下延伸直到第一栅极电介质的分支。分支被定位在第一栅极区域和第二栅极区域之间。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一栅极电介质；在所述第一栅极电介质之上形成栅极材料的第一层；通过蚀刻所述第一层以便在所述第一层中形成在两个端部之间在第一方向上延伸的槽，从而形成第一栅极区域和第二栅极区域；在蚀刻的所述第一层之上以及在所述槽的侧壁之上形成第二栅极电介质；在所述第二栅极电介质之上形成所述栅极材料的第二层；通过图案化所述栅极材料的所述第二层、所述第二栅极电介质、所述栅极材料的所述第一层和所述第一栅极电介质，形成沿第二方向延伸的连续元件，所述第二方向基本正交于所述第一方向；以及形成用于接触所述第一栅极区域、所述第二栅极区域和所述连续元件的导电接触焊盘。