[发明专利]半导体基材直接结合的方法有效
| 申请号： | 201810167581.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511332B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 彭澜;金淳旭;E·贝内;G·P·拜尔;E·斯利克斯;R·米勒 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种使第一基材与第二基材直接结合的方法，所述第一基材和第二基材包含电介质结合层，其中所述结合通过使电介质结合层互相接触形成基材组件并对该组件进行结合后退火来进行，其中两个结合层在结合之前都进行预处理，所述预处理包括按照所述的顺序进行的以下步骤：·在惰性气体等离子体中的第一等离子体活化步骤，·在氧等离子体中的第二等离子体活化步骤，·湿表面处理，包括水洗步骤或包括暴露于含水环境，其中，两个基材上的两个电介质结合层是两个SiCO层或两个SiCN层或两个SiC层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 直接 结合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使第一基材与第二基材直接结合的方法，所述第一基材和第二基材包含电介质结合层，其中所述结合通过使电介质结合层互相接触形成基材组件并对该组件进行结合后退火来进行，其中两个结合层在结合之前都进行预处理，所述预处理包括按照所述的顺序进行的以下步骤：·在惰性气体等离子体中的第一等离子体活化步骤，·在氧等离子体中的第二等离子体活化步骤，·湿表面处理，包括水洗步骤或包括暴露于含水环境，其中，两个基材上的两个电介质结合层是两个SiCO层或两个SiCN层或两个SiC层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
