[发明专利]Si基GaN器件的通孔制备方法在审
| 申请号： | 201810167625.5 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108288605A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 周国;高渊;刘亚亮;杨志虎;刘相伍;张力江;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN器件的通孔制备方法，该方法包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶圆包括Si衬底、所述Si衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的AlGaN层；在所述晶圆的源电极区制作正面源电极，其中，所述源电极区包含所述第一通孔区；去除所述Si衬底与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述Si衬底的下表面和所述第二通孔的顶壁和侧壁上均生长金属层，所述金属层与所述正面源电极相连。本发明能够解决Si基GaN器件难以制作通孔的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 通孔区 源电极 衬底 晶圆 金属层 上表面 去除 制备 半导体技术领域 衬底上表面 衬底层 下表面 侧壁 顶壁 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种Si基GaN器件的通孔制备方法，其特征在于，包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶圆包括Si衬底、所述Si衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的AlGaN层；在所述晶圆的源电极区制作正面源电极，其中，所述源电极区包含所述第一通孔区；去除所述Si衬底与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；其中，所述第二通孔区包含所述第一通孔区，且所述第二通孔区与所述晶圆的栅电极区无重叠；在所述Si衬底的下表面和所述第二通孔的顶壁和侧壁上均生长金属层，所述金属层与所述正面源电极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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