[发明专利]具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件在审
| 申请号： | 201810167874.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108695163A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | F.华;J.斯万;H.布劳尼施;T.卡姆加英;A.埃尔舍比你;S.奥斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/268;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件。实施例包括器件和方法，包括一种用于处理基底的方法。该方法包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区。该方法还包括执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造电镀以形成包括在介电表面区上的金属的结构，该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造电镀的工艺形成的，并且该结构是在该特征之后形成的。描述并要求保护了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 自组装单分子膜 电子器件 辅助构造 介电表面 电镀 基底 键合 导电区 金属 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基底的方法，包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区；执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造以形成包括在介电表面区上的金属的结构；该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造的工艺形成的；并且该结构是在该特征之后形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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