[发明专利]一种平面上激光熔覆工艺参数优化的方法

摘要

本发明涉及一种平面上激光熔覆工艺参数优化的方法，包括如下步骤：S1、以激光功率、扫描速度、送粉速度作为待优化参数，按照田口方法设计正交实验，以熔宽、熔高、稀释率作为响应目标进行方差分析；S2、利用灰色关联分析方法对三个响应目标分析后得到最终的最优参数组合；S3、将最终的最优参数组合下的熔覆层轮廓拟合成函数并建立几何模型，计算分析后得到搭接率的最优值；S4、进行多道多层熔覆实验，经计算分析后得到Z轴提升量的最优值。本发明的平面上激光熔覆工艺参数优化的方法能够方便、快速准确、可靠地得到使用不同熔覆粉末和/或激光熔覆设备在平面上进行激光熔覆实验时，在单道、单道多层以及多道多层熔覆工艺中的最优参数。

主权项

1.一种平面上激光熔覆工艺参数优化的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、以激光功率、扫描速度、送粉速度作为待优化参数，按照田口方法设计正交实验，在平面上进行单道熔覆实验后将获得的熔宽、熔高以及稀释率作为响应目标并进行方差分析，得出三个所述待优化参数对三个所述响应目标的影响程度；S2、利用灰色关联分析方法对步骤S1中的三个所述响应目标进行分析，得到三个所述待优化参数最终的最优参数组合；S3、将步骤S2得到的最终的最优参数组合下的熔覆层的轮廓拟合成函数后建立几何模型并计算得到临界搭接率，然后进行多道单层熔覆实验，经计算分析后得到搭接率的最优值；在步骤S3中，所述函数为一元三次函数：y＝ax³+bx²+H，且所述一元三次函数函数满足aW³+2bW²+8H＝0；其中，W表示熔宽、H表示熔高；S4、测量步骤S3得到的最优搭接率对应的多道单层的名义高度作为初始名义高度，并进行多道多层熔覆实验，经计算分析后得到Z轴提升量的最优值。