[发明专利]一种三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域，公开了一种三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用。该方法包括：制备三氧化钨浆料；FTO导电玻璃的前期表面洗涤处理；以丝网印刷的方法在FTO基底上印刷三氧化钨浆料；对这种印刷有三氧化钨浆料的基底进行退火处理得到三氧化钨半导体薄膜。本发明的三氧化钨半导体薄膜制备方法工艺简单、成本低廉，可以直接得到厚度均匀、结构完整的半导体薄膜。WO3具有化学稳定性好，禁带宽度较低，价格低廉等优点，在染料敏化太阳能电池和薄膜太阳能电池制作应用中具有良好的前景。

主权项

1.一种三氧化钨半导体薄膜的制备方法，其特征在于包括以下操作步骤：(1)取0.9g质量分数为10％的乙基纤维素，加入到8.1g乙醇溶液中，再逐步加入9.6g松油醇和9.2g无水乙醇，混合均匀；向所得混合液中加入5.6‑6.0gWO3颗粒，磁力搅拌10‑20min，再超声分散10‑20min，磁力搅拌和超声分散交替操作3‑5次；在50℃下旋转搅拌蒸发至无水乙醇蒸发完全为止，再加入0.6ml乙酰丙酮和0.6ml的OP乳化剂，搅拌均匀，得到三氧化钨浆料；(2)通过丝网印刷法在清洗干净的FTO玻璃导电面上印刷4‑6层三氧化钨浆料，然后在自然环境下，在500℃下退火30min，退火流程：将印刷有多层三氧化钨浆料的FTO玻璃放入马弗炉中，设置温度从60℃在2h内升到500℃，然后在500℃下保温30min，最后冷却到60℃，在FTO玻璃上得到三氧化钨半导体薄膜。