[发明专利]一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品有效
| 申请号： | 201810168762.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108491103B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 罗志猛 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;G06F3/044;H01B13/00;C23F1/02;C23F1/16;C23F1/26 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;陈卫 |
| 地址： | 516600 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面ITO产品的制作方法和双面ITO产品。该制作方法包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。该制作方法不会在ITO功能层上残留保护材料，也能够防止ITO图案被划伤等问题，还有利于工艺的自动化和高世代产线的量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 ito 产品 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双面ITO产品的制作方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一ITO基板：步骤2：对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作第一图案，形成第一ITO功能层；步骤3：在所述第一ITO功能层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4：采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第二图案，形成第二ITO功能层；步骤5：采用Mo刻蚀液去除所述Mo合金层。
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