[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810169179.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108598226B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张奕;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，多量子阱层包括交替层叠的n个量子阱和(n+1)个量子垒，每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层为N型掺杂的氮化镓层，第二子层和第四子层为没有掺杂的氮化镓层，第三子层为没有掺杂的氮化铝层；(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐层减少，(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐层减少。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，所述n个量子阱和所述(n+1)个量子垒交替层叠设置，其特征在于，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层和所述第五子层为N型掺杂的氮化镓层，所述第二子层和所述第四子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第三子层为没有掺杂的氮化铝层；所述(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，所述(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。
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