[发明专利]具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201810171210.5 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108389903B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;刘洪刚;张国斌;吴宗刚;孙兵;黄凯亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本公开提供了一种具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，采用碳化硅衬底，在衬底上生长一层石墨烯材料，在石墨烯材料上生长氮化镓成核层，在成核层上生长氮化镓高阻缓冲层，在其上生长高迁移率的氮化镓沟道层，在沟道层上生长AlGaN势垒层，两个欧姆接触形成器件的源漏电极，在此之上淀积一薄层氮化硅表面钝化层，在源极和漏极之间将SiN |
||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 散热 algan gan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：SiC衬底；石墨烯散热层，形成于所述SiC衬底上，所述石墨烯散热层厚度为2nm；GaN成核层，形成于所述石墨烯散热层上；GaN缓冲层，形成于所述GaN成核层上；GaN高电子迁移率沟道层，形成于所述GaN缓冲层上；AlGaN势垒层形成于所述GaN沟道层上；源电极、漏电极、栅电极和SiNx钝化层，形成于所述AlGaN势垒层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810171210.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
