[发明专利]一种基于硅纳米片的激光脉冲调制器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810171383.7 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108199254A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王正平;张芳;王梦霞;许心光 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11;H01S3/081;H01S3/091;H01S3/0941;H01S3/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅纳米片的激光脉冲调制器及其制备方法与应用，硅纳米片激光脉冲调制器由硅晶体制得，包括衬底和沉积在衬底上面的硅纳米片材料。将硅纳米片激光脉冲调制器插入连续或长脉冲运转的激光谐振腔内，可以实现短脉冲激光输出。本发明硅纳米片激光脉冲调制器，具有以下优势：(1)硅纳米片材料具有对波长不敏感的特性，可实现对可见到红外波段激光的调制。(2)硅纳米片可由黏土制得，原料丰富，价格低廉，制作工艺简单，适于批量生产。(3)便于集成：可用成熟的工艺在衬底上制备成薄膜，实现从材料到器件的一体化设计和集成。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米 激光脉冲 调制器 衬底 制备 片材料 红外波段激光 短脉冲激光 激光谐振腔 一体化设计 制作工艺 不敏感 长脉冲 波长 硅晶 可用 黏土 薄膜 沉积 调制 应用 输出 运转 成熟 生产 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅纳米片的激光脉冲调制器，其特征在于，包括衬底及沉积在所述衬底上面的硅纳米片材料。
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