[发明专利]高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810171649.8 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108395245B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;陈盼;沈波 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用，组成为Bi |
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| 搜索关键词： | 高储能 密度 钛酸铋钠基 电介质 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜，其特征在于，该电介质薄膜的化学组成为Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3‑xSrZrO3，其中x＝0～0.20，且不为0，x为摩尔份量。
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