[发明专利]测量温度的方法、电路、温度传感器、器件及其制造方法有效
申请号: | 201810171819.2 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN108458800B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 龙明直;曾琅;赵巍胜;冷群文 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学青岛研究院 |
主分类号: | G01K7/16 | 分类号: | G01K7/16 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 郭少晶;马佑平 |
地址: | 266104 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本公开公开一种基于磁性隧道结测量温度的方法、磁性隧道结器件、磁性隧道结测温电路、温度传感器、磁性隧道结器件的制造方法。该方法包括在所述自由层与导电层之间施加连续的方波电压,所述方波电压的高电平产生用以削弱所述自由层中的退磁场和各向异性场的电场调控的磁各向异性效应;在所述方波电压的低电平期间,测量固定层与自由层之间的电阻值;统计所述电阻值呈现低阻态的几率;根据预先确定的电阻值呈现低阻态的几率与温度的函数关系确定当前的温度。应用该方法可实现温度的精确测量。 | ||
搜索关键词: | 测量 温度 方法 电路 温度传感器 器件 及其 制造 | ||
【主权项】:
1.一种基于磁性隧道结器件测量温度的方法,其特征在于,所述磁性隧道结器件依次包括:固定层、第一阻挡层、自由层、第二阻挡层和导电层;所述方法包括以下步骤:在所述自由层与导电层之间施加连续的方波电压,所述方波电压的高电平产生用以削弱所述自由层中的退磁场和各向异性场的电场调控的磁各向异性(VCMA)效应;在所述方波电压的低电平期间,测量固定层与自由层之间的电阻值;统计所述电阻值呈现低阻态或高阻态的几率,其中所述电阻值呈现低阻态与高阻态的几率相加为1;根据预先确定的电阻值呈现低阻态或高阻态的几率与温度的函数关系确定当前的温度。
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