[发明专利]波导耦合型D型细芯光纤高速电光信号强度调制器在审
| 申请号： | 201810171903.4 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108333800A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 裴丽;阮祖亮 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人： | 谢建玲;郝亮 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 波导耦合型D型细芯光纤高速电光信号强度调制器，涉及光纤通信器件领域，负电极4覆于硅凹槽基底5凹槽位置，电光聚合物层3在负电极4之上。正电极2覆于电光聚合物层3、上表面与硅凹槽基底上边面齐平。D型细芯光纤1抛光面置于正电极2之上。硅凹槽基地对正电极2和负电极4供电，改变电光聚合物层3对载波的吸收作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电光聚合物 细芯光纤 负电极 硅凹槽 强度调制器 波导耦合 电光信号 正电极 基底 光纤通信器件 凹槽位置 电极 面齐平 抛光面 上表面 对正 供电 吸收 基地 | ||
【主权项】：
1.波导耦合型D型细芯光纤高速电光信号强度调制器，如图1所示，其特征在于：该结构包括D型细芯光纤1、正电极2、电光聚合物层3、负电极4、硅凹槽基底5。具体组合方式为：负电极4覆于硅凹槽基底5凹槽位置，电光聚合物层3在负电极4之上。正电极2覆于电光聚合物层3、上表面与硅凹槽基底上边面齐平。D型细芯光纤1抛光面置于正电极2之上。
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