[发明专利]一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法

摘要

本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法，该方法采用高温高压烧结技术，具体步骤是：在高压高温条件下(HPHT，4.5～5.5GPa,1400～1500℃)，采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂，不同质量配比的氮化硅(β‑Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β‑Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术，形成β‑Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相，其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强，工艺简单，不需要超高温度，可以大大缩短结构材料的合成时间，是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。

主权项

1.一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、选取骨架材料β‑Si3N4和烧结助剂材料作为烧结初始材料；②、将①中骨架材料β‑Si3N4和烧结助剂材料经过混料、压块、组件、真空热处理、叶腊石合成块烘烤、组装、高压高温合成这些程序完成氮化硅块体材料的制备。