[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810172320.3 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109560194B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金海光;林杏莲;陈侠威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及电阻式随机存取存储器装置。在一些实施例中，电阻式随机存取存储器装置包含下电极结构位于导电下内连接层上方，上电极结构位于下电极结构上方，以及转换层位于下电极结构与上电极结构之间，转换层具有转换层外侧壁。电阻式随机存取存储器装置也包含帽盖层，帽盖层具有从转换层的角落沿上电极侧壁垂直延伸的垂直部分，帽盖层也具有从转换层的角落水平延伸至转换层外侧壁的水平部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括:一下电极结构，位于一导电下内连接层上方；一上电极结构，位于该下电极结构上方，其中该上电极结构具有一上电极侧壁；一转换层，位于该下电极结构与该上电极结构之间，其中该转换层具有一转换层外侧壁；以及一帽盖层，具有从该转换层的角落沿该上电极侧壁垂直延伸的一垂直部分以及从该转换层的角落水平延伸至该转换层外侧壁的一水平部分。
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