[发明专利]TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统有效
| 申请号： | 201810172632.4 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108282626B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张正民;莫要武;徐辰;任冠京;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/369;H04N5/355 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统，该像素结构包括光电二极管、第一读取控制单元、第二读取控制单元；第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括传输晶体管、双转换增益控制单元、复位晶体管及输出单元；其中，复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至对应的浮动扩散节点；光电二极管通过传输晶体管耦接至对应的浮动扩散节点；输出单元耦接至对应的浮动扩散节点。该像素结构特别适合于TOF成像系统并且能够支持滚动曝光模式。并且由于使用了双转换增益控制单元，使得本发明的像素结构可以支持DCG，从而具有高动态范围特性。 | ||
| 搜索关键词： | tof 图像传感器 像素 结构 成像 系统 | ||
【主权项】：
1.一种TOF图像传感器像素结构，其特征在于，包括光电二极管，与所述光电二极管分别耦接的第一读取控制单元、第二读取控制单元；其中：所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述第一读取控制单元与所述第二读取控制单元均分别包括传输晶体管、双转换增益控制单元、复位晶体管及输出单元；其中：所述复位晶体管的第一端耦接至第一电压源，所述双转换增益控制单元耦接于所述复位晶体管的第二端与对应的浮动扩散节点之间；所述复位晶体管用于根据复位控制信号重置所述浮动扩散节点的电压；所述双转换增益控制单元用于实现增益控制和电荷存储；所述光电二极管通过所述传输晶体管耦接至对应的浮动扩散节点，所述传输晶体管用于将所述光电二极管累积的电荷转移至所述浮动扩散节点；所述输出单元耦接至对应的浮动扩散节点，用于对所述浮动扩散节点的电压信号进行放大输出。
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