[发明专利]硅晶片的金属污染分析方法在审
| 申请号： | 201810173218.5 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110223927A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 山下崇史;默罕默德·B.·沙巴尼 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶片的金属污染分析方法，包括：通过使作为分析对象的硅晶片与氟化氢气体、硝酸气体和氮氧化物气体的混合气体接触，对该硅晶片的表层区域蚀刻；对所述蚀刻后的硅晶片加热，将因蚀刻而露出的表面加热至180℃以上的温度；将所述加热后的硅晶片表面暴露在氟酸蒸气下；将所述暴露后的硅晶片表面上的金属成分捕集到回收用水溶液内；对所述回收用水溶液中的金属成分进行分析。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶片 蚀刻 硅晶片表面 金属污染 加热 氮氧化物气体 金属 氟化氢气体 表层区域 表面加热 分析对象 混合气体 硝酸气体 回收 分析 暴露 捕集 氟酸 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的金属污染分析方法，包括：通过使作为分析对象的硅晶片与氟化氢气体、硝酸气体和氮氧化物气体的混合气体接触，对该硅晶片的表层区域蚀刻；对所述蚀刻后的硅晶片加热，将因蚀刻而露出的表面加热至180℃以上的温度；将所述加热后的硅晶片表面暴露在氟酸蒸气下；将所述暴露后的硅晶片表面上的金属成分捕集到回收用水溶液内；对所述回收用水溶液中的金属成分进行分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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