[发明专利]一种薄膜场效应晶体管型气体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810174504.3 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108447915B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;唐江;张建兵;刘竞尧;胡志响;易飞;张光祖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/22;H01L29/24;H01L29/06;H01L21/34;G01N27/414 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO |
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| 搜索关键词： | 一种 薄膜 场效应 晶体管 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜场效应晶体管型气体传感器，其特征在于，该薄膜场效应晶体管型气体传感器为底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；其中，所述底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管自下而上包括衬底(2)、栅极绝缘层(3)、沟道有源层(4)，在所述沟道有源层(4)上还沉积有源电极(5)和漏电极(6)，所述沟道有源层(4)为量子点材料沉积形成的量子点薄膜；所述衬底(2)还引出有栅电极，由此构成薄膜场效应晶体管；所述底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管自下而上包括衬底(2)、栅极绝缘层(3)，在该栅极绝缘层(3)上还沉积有源电极(5)和漏电极(6)，沟道有源层(4)覆盖在所述源电极(5)和所述漏电极(6)的上方，所述沟道有源层(4)为量子点材料沉积形成的量子点薄膜；所述衬底(2)还引出有栅电极，由此构成薄膜场效应晶体管。
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