[发明专利]一种工业硅精炼系统及精炼工艺

摘要

本发明提供了一种工业硅精炼系统及精炼工艺，属于工业硅生产技术领域。一种工业硅精炼系统，其包括：矿热炉、抬包、精炼炉组件和温度控制设备，矿热炉的出料口与抬包的进料口连接，抬包被配置成用于对硅液进行通氧反应。精炼炉组件包括精炼炉和烟罩，精炼炉被配置成用于接收抬包内通氧反应后的硅液，烟罩用于收集精炼炉的烟尘，温度控制设备被配置成用于控制精炼炉内的温度。该系统能较好地去除工业硅中的杂质，提高工业硅的品质，增加工业硅的产量。 1

主权项

1.一种工业硅精炼系统，其特征在于，其包括：矿热炉、抬包、精炼炉和温度控制设备，所述矿热炉的出料口与所述抬包的进料口连接，所述抬包被配置成用于对硅液进行通氧反应；

所述精炼炉被配置成用于接收所述抬包内通氧反应后的所述硅液，所述温度控制设备被配置成用于控制所述精炼炉内的温度。

2.根据权利要求1所述的工业硅精炼系统，其特征在于，所述精炼炉设置有多个，多个所述精炼炉均对应设置所述温度控制设备。

3.根据权利要求1或2所述的工业硅精炼系统，其特征在于，所述工业硅精炼系统还包括烟罩和除尘器，所述烟罩用于收集所述精炼炉的烟尘，所述烟罩与所述除尘器连接。

4.一种工业硅精炼工艺，其特征在于，其主要利用权利要求1‑3任一项所述的工业硅精炼系统进行，包括：将工业硅原料在所述矿热炉中进行冶炼得到硅液，将所述矿热炉中的硅液排入所述抬包内进行通氧反应，经通氧反应后的硅液被排入所述精炼炉内，所述精炼炉内的所述硅液的体积为所述精炼炉体积的1/2～2/3，利用所述温度控制设备将所述精炼炉内的温度控制在1500～1750℃，然后加入硅废料和钙类造渣剂进行混炼并保温，去除所述精炼炉内的稀渣得到较纯净的硅液。

5.根据权利要求4所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述硅废料包括多晶单晶硅废料碎料、多晶单晶硅金刚线切割粉压块料、金属硅粉料和金属硅边角料、光伏电池板废碎片中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述金属硅粉料包括金属硅制粉或破碎工艺中的除尘粉。

7.根据权利要求4所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述钙类造渣剂包括氧化钙、氢氧化钙和氟化钙中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述精炼的温度为1600～1750℃。

9.根据权利要求4所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述硅液的保温时间为20～60min。

10.根据权利要求4所述的工业硅精炼工艺，其特征在于，所述硅废料与所述钙类造渣剂的体积为所述精炼炉体积的1/3～1/2。