[发明专利]具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810174890.6 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108231882A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有背场板结构的HEMT器件，由下至上依次包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化保护层；栅电极、源电极和漏电极设于AlGaN势垒层之上；所述硅衬底设有横截面为直角梯形的凹槽；所述凹槽开口向下，凹槽的顶部为GaN外延层的下表面；背场板结构设于硅衬底的部分下表面、凹槽的斜面、凹槽的部分顶部之上。本发明还公开了上述具有背场板结构的HEMT器件的制备方法。本发明利用衬底隔离及背场板技术，避免了器件的衬底击穿，提高了GaN HEMT器件的击穿电压，降低了栅极漏侧场强峰值，提高了器件的散热性能，对于实现高性能、高可靠性氮化镓基器件具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 背场 板结构 硅衬底 下表面 衬底 制备 场强 氮化镓基器件 钝化保护层 凹槽开口 高可靠性 击穿电压 散热性能 直角梯形 重要意义 漏电极 源电极 栅电极 击穿 隔离 | ||
【主权项】：
1.具有背场板结构的HEMT器件，其特征在于，由下至上依次包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化保护层；栅电极、源电极和漏电极设于AlGaN势垒层之上；所述硅衬底设有横截面为直角梯形的凹槽；所述凹槽开口向下，凹槽的顶部为GaN外延层的下表面；背场板结构设于硅衬底的部分下表面、凹槽的斜面、凹槽的部分顶部之上。
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