[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效
| 申请号： | 201810175402.3 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110221515B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 倪昶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。所述光学邻近修正方法提高了修正图形的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，第一待补偿图形和第二图形的排列方向平行于第一待补偿图形和第二图形的宽度方向，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，第一待补偿区的图形和第一待补偿图形一致，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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