[发明专利]发光器件及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201810175438.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110224072B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王建太;邢汝博;杨小龙;刘会敏;孙萍;韦冬 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置，其中发光器件的制备方法包括：提供阳极，依次沉积空穴功能材料、发光材料和阴极材料，得到空穴功能层、发光层和阴极；其中，所述空穴功能材料包括金属氧化物；所述沉积空穴功能材料的步骤之前还包括通过水溶液法制备金属氧化物的步骤。上述发光器件的制备方法，空穴功能材料通过水溶液法制备得到，制备过程简单且绿色环保，非常匹配溶液法制备发光层的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阳极，依次沉积空穴功能材料、发光材料和阴极材料，得到空穴功能层、发光层和阴极；其中，所述空穴功能材料包括金属氧化物；所述沉积空穴功能材料的步骤之前还包括通过水溶液法制备金属氧化物的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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