[发明专利]一种不含非金属元素的金基非晶合金及其制备方法

摘要

本发明公开了一种属于非晶合金材料领域，更具体地，涉及一种不含非金属元素的金基非晶合金及其制备方法。该金基非晶合金为金基非晶合金薄膜，所述金基非晶合金的成分至少包括Au元素、Al元素和V元素，所述金基非晶合金中Au元素的原子百分比不低于26％，且不高于52％；所述金基非晶合金中Al元素原子百分比不低于10％，且不高于40％；所述金基非晶合金中V元素的原子百分比不低于9％，且不高于40％。本发明提供的金基非晶合金所有组成元素均为金属元素，不含非金属元素，一方面保证合金具有较好的导热、导电性能，有利于拓展其应用范围；另一方面可根据混合法则较准确地预测合金的性能，适合作为科学研究的模型材料。

主权项

1.一种不含非金属元素的金基非晶合金，其特征在于，该金基非晶合金为金基非晶合金薄膜，所述金基非晶合金的成分至少包括Au元素、Al元素和V元素，所述金基非晶合金中Au元素的原子百分比不低于26％，且不高于52％；所述金基非晶合金中Al元素原子百分比不低于10％，且不高于40％；所述金基非晶合金中V元素的原子百分比不低于9％，且不高于40％；所述金基非晶合金为Au‑Al‑V三元合金体系，其中各元素的原子百分比为：Au为30％～52％，Al为16％～40％，V为18％～40％；所述金基非晶合金薄膜的非晶形成临界厚度不小于1微米；所述金基非晶合金的制备方法，包括如下步骤：(1)以单晶硅为基底，以金基非晶合金成分中各元素各自对应的靶材作为靶材，所述金基非晶合金的成分至少包括Au元素、Al元素和V元素，则所述靶材至少为三个，即分别为纯度在99.9wt.％以上的Au靶、Al靶和V靶；(2)将所述靶材和基底置于磁控溅射设备的真空室，其中任一所述靶材与所述基底间的距离不小于67mm，抽真空至真空度高于1×10^‑6Pa，用Ar离子溅射清洗40min以上，清洗时试样上加直流偏压‑80V～‑120V；(3)在所述基底上溅射沉积所述金基非晶合金薄膜样品。