[发明专利]一种半导体激光器结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810176096.5 申请日: 2018-03-02
公开(公告)号: CN110224300B 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 任夫洋;苏建;陈康;刘青;郑兆河;徐现刚 申请(专利权)人: 山东华光光电子股份有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22;H01S5/32
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种半导体激光器结构及其制备方法。所述半导体激光器结构包括由下至上依次设置的N‑金属层、N‑电流阻挡层、衬底、外延材料层、P‑电流阻挡层及P‑金属层;所述衬底下表面有设置有周期性排列孔洞和N‑电流阻挡层。本发明在衬底减薄后设置孔洞及电流阻挡层,释放外延片内部应力,N面焊接封装时增大与焊料接触面积,键合牢固,缓冲热应力,同时限制电流注入区域,提高光电转换效率。
搜索关键词: 一种 半导体激光器 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体激光器结构,包括由下至上依次设置的N‑金属层、N‑电流阻挡层、衬底、外延材料层、P‑电流阻挡层及P‑金属层;其中,所述外延材料层上有周期性设置的脊条、位于脊条两侧的沟槽和位于沟槽外侧的肩部;形成带肩脊条结构;在所述的脊条、沟槽和肩部的表面设置有P‑电流阻挡层;所述P‑电流阻挡层在脊条位置设有窗口1,且窗口1宽度小于脊条宽度;形成P面;在衬底下表面对应于P面的肩部区域上有周期性设置的孔洞或沟道;所述衬底下表面设置有N‑电流阻挡层;所述N‑电流阻挡层在对应于所述脊条位置设有窗口2,窗口2位置及宽度与所述窗口1相同。
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