[发明专利]超疏水膜、具有超疏水膜的半导体封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201810176630.2 申请日: 2018-03-03
公开(公告)号: CN108493353B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 朱阳杰;李俊峰 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种超疏水膜、具有超疏水膜的半导体封装结构及其封装方法,所述超疏水膜呈多孔微纳结构,且所述超疏水膜基本组成为具有疏水基团的红荧烯衍生物;所述半导体封装结构基板、布设在所述基板上的电子功能器件、设置在所述电子功能器件背离基板一侧的第一密封膜以及如前所述的超疏水膜;所述半导体封装方法包括在电子功能器件背离基板的一侧制备形成第一密封膜及如前所述的超疏水膜。本发明超疏水膜结合疏水基团与其自身的多孔微纳结构,实现超疏水效果,有效减少水汽渗透;采用前述超疏水膜的半导体封装结构能够有效改善防水性能,且工艺更为简洁。
搜索关键词: 疏水 具有 半导体 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
1.一种超疏水膜,其特征在于,所述超疏水膜呈多孔微纳结构,且所述超疏水膜基本组成为具有疏水基团的红荧烯衍生物。
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