[发明专利]晶片的起伏检测方法和磨削装置在审
| 申请号： | 201810178283.7 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108573889A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 清野敦志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B24B7/22;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B49/12;G01B11/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的起伏检测方法和磨削装置，在使用磨削装置对晶片进行磨削的情况下，不用将晶片从磨削装置取出利用其他测量装置进行起伏的测量，防止用于加工的工序数增加。一种晶片的起伏检测方法，其中，该晶片的起伏检测方法具有如下的步骤：保持步骤，将晶片(W)保持在保持工作台(400)上；接触步骤，使平坦的透明板(50)与保持在保持工作台(400)上的晶片(W)接触；以及照射步骤，从透明板(50)侧照射光，通过在照射步骤中产生的干涉条纹(R)来检测晶片(W)的起伏。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 磨削装置 检测 透明板 工作台 照射 测量装置 干涉条纹 检测晶片 照射光 磨削 种晶 测量 平坦 取出 加工 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的起伏检测方法，该方法具有如下的步骤：保持步骤，将晶片保持在保持工作台上；接触步骤，使平坦的透明板与保持在该保持工作台上的晶片接触；以及照射步骤，从该透明板侧照射光，通过在该照射步骤中产生的干涉条纹来检测晶片的起伏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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