[发明专利]电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法有效
| 申请号： | 201810178924.9 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108242763B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄永光;张瑞康;王宝军;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/34;H01S5/22;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 谢海燕 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制 激光器 结构 及其 制作 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构，其为格栅构造，包括：晶圆衬底；EML器件单元，所述EML器件单元具有激光器多量子阱结构和调制器多量子阱结构，所述激光器多量子阱结构和调制器多量子阱结构在所述晶圆衬底上形成，所述EML器件单元在所述晶圆衬底上阵列排布；沟槽结构，其侧壁面为镜面，其底部形成减反射面，该沟槽结构围绕所述EML器件单元形成；其中，在所述EML器件单元的前端面形成有减反射介质膜，在所述EML器件单元的后端面形成有高反射介质膜，所述前端面为EML器件单元的调制器多量子阱结构一侧的端面，所述后端面为EML器件单元的激光器多量子阱结构一侧的端面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810178924.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于光子晶体光纤的毫米波治疗设备
- 下一篇：一种矿热炉高低压补偿变电箱体
