[发明专利]晶圆键合方法、晶圆键合结构及调整晶圆变形量的方法有效
| 申请号： | 201810178979.X | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108376652B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆键合方法、晶圆键合结构及调整晶圆变形量的方法。晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中第一晶圆被施加预设压力时的变形量大于第二晶圆；在第一晶圆的背面形成至少一个压应力层和至少一个拉应力层，以调节第一晶圆被施加预设压力时的变形量至与第二晶圆相等；以及键合第一晶圆和第二晶圆。此晶圆键合方法可以提高键合的对准度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆键合 变形量 预设压力 键合 施加 拉应力层 张应力层 对准度 圆键 种晶 相等 背面 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆被施加预设压力时的变形量大于所述第二晶圆；在所述第一晶圆的背面形成至少一个压应力层和至少一个拉应力层，以调节所述第一晶圆被施加预设压力时的变形量至与所述第二晶圆相等；以及键合所述第一晶圆和第二晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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