[发明专利]栅介质层、场效应管的制造方法及场效应管器件有效
| 申请号： | 201810179008.7 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110233095B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 许所昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在高k介质层金属栅极(HKMG)整合工艺中，改善栅介质层中氮原子分布的方法，通过在对栅介质层掺氮处理后增加湿法刻蚀工艺，去除其一定厚度的表面部分，使其新裸露出的表面氮原子浓度大于原始表面氮原子浓度，从而改善氮原子在栅介质层表面的浓度分布，避免了因掺氮后阈值电压漂移过大影响功函数的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 场效应 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种栅介质层的制造方法，其特征在于，包括：步骤一，形成栅介质层；步骤二，对所述栅介质层进行掺氮处理；步骤三，去除一定厚度的所述栅介质层，使其新裸露出的表面氮原子浓度大于其原始表面氮原子浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
