[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810179262.7 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109728090A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吕俊颉;彭成毅;李建兴;叶凌彦;张智胜;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种负电容器件包括半导体层。界面层设置在半导体层上方。非晶介电层设置在界面层上方。铁电层设置在非晶介电层上方。金属栅电极设置在铁电层上方。如下条件中的至少一个成立：界面层为掺杂的；非晶介电层具有氮化外表面；扩散阻挡层设置在非晶介电层和铁电层之间；或晶种层设置在非晶介电层和铁电层之间。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 非晶 铁电层 界面层 半导体器件 半导体层 金属栅电极 扩散阻挡层 氮化 负电容器 掺杂的 晶种层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体层；界面层，设置在所述半导体层上方；非晶介电层，设置在所述界面层上方；铁电层，设置在所述非晶介电层上方；以及金属栅电极，设置在所述铁电层上方；其中，以下条件中的至少一个成立：所述界面层为掺杂的；所述非晶介电层具有氮化外表面；扩散阻挡层设置在所述非晶介电层和所述铁电层之间；或晶种层设置在所述非晶介电层和所述铁电层之间。
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